A Samsung be jelentette az új 36 Gbps sebességű GDDR7 memóriaszabványát, amely 2030-ra 1000 rétegű V-NAND tárolómegoldásokat kíván majd kiadni. Jelenleg a GDDR6X 24 Gbps-os sebességre képes, a GDDR7 azonban 384 bites buszon elérheti akár az 1,7 TB/s-ot is.
A Samsung bemutatta a memória technológia új hullámát és a jövőbeli terveket, amelyek célja a teljesítmény exponenciális javítása az adatközpontok, szerverek, mobil-, játék- és autóipari piacokon. Ezen kívül az idei Samsung Tech Day-hez köthető továbbá a DDR5 RAM kapacitásának növelése és a a V-NAND tárolási technológia jövőképe.
Hamarosan érkeznek a 32 GB-os DDR5 modulok is, illetve ezenkívül a mobiltelefonokhoz és ultrabookokhoz készült 8,5 Gbps-os LPDDR5X DRAM-megoldások is várhatóan az elkövetkező években egyre nagyobb mértékben terjednek majd el.
A következő generációs GPU-k számára szolgált a legjobb hírrel a Samsung, ugyanis 50%-kal javítja az új memóriageneráció a sebességet. Már 256 bites buszon is áttöri az 1 TB/s-os hatért a GDDR7.
